IGBT在以變頻器及各類電源為代表的電力電子裝置中得到了廣泛應用。IGBT集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優點于一體，具有電壓控制、輸入阻抗大、驅動功率小、控制電路簡單、開關損耗小、通斷速度快和工作頻率高等優點。

　　但是，IGBT和其它電力電子器件一樣，其應用還依賴于電路條件和開關環境。因此，IGBT的驅動和保護電路是電路設計的難點和重點，是整個裝置運行的關鍵環節。

　　為解決IGBT的可靠驅動問題，國外各IGBT生產廠家或從事IGBT應用的企業開發出了眾多的IGBT驅動集成電路或模塊，如國內常用的日本富士公司生產的EXB8系列，三菱電機公司生產的M579系列，美國IR公司生產的IR21系列等。但是，EXB8系列、M579系列和IR21系列沒有軟關斷和電源電壓欠壓保護功能，而惠普生產的HCLP一316J有過流保護、欠壓保護和1GBT軟關斷的功能，且價格相對便宜，因此，本文將對其進行研究，并給出1700V，200～300A IGBT的驅動和保護電路。

　　1 IGBT的工作特性

　　IGBT是一種電壓型控制器件，它所需要的驅動電流與驅動功率非常小，可直接與模擬或數字功能塊相接而不須加任何附加接口電路。IGBT的導通與關斷是由柵極電壓UGE來控制的，當UGE大于開啟電壓UGE（th）時IGBT導通，當柵極和發射極間施加反向或不加信號時，IGBT被關斷。

　　IGBT與普通晶體三極管一樣，可工作在線性放大區、飽和區和截止區，其主要作為開關器件應用。在驅動電路中主要研究IGBT的飽和導通和截止兩個狀態，使其開通上升沿和關斷下降沿都比較陡峭。

　　2 IGBT驅動電路要求

　　在設計IGBT驅動時必須注意以下幾點。

　　1）柵極正向驅動電壓的大小將對電路性能產生重要影響，必須正確選擇。當正向驅動電壓增大時，．IGBT的導通電阻下降，使開通損耗減小；但若正向驅動電壓過大則負載短路時其短路電流IC隨UGE增大而增大，可能使IGBT出現擎住效應，導致門控失效，從而造成IGBT的損壞；若正向驅動電壓過小會使IGBT退出飽和導通區而進入線性放大區域，使IGBT過熱損壞；使用中選12V≤UGE≤18V為好。柵極負偏置電壓可防止由于關斷時浪涌電流過大而使IGBT誤導通，一般負偏置電壓選一5V為宜。另外，IGBT開通后驅動電路應提供足夠的電壓和電流幅值，使IGBT在正常工作及過載情況下不致退出飽和導通區而損壞。

　　2）IGBT快速開通和關斷有利于提高工作頻率，減小開關損耗。但在大電感負載下IGBT的開關頻率不宜過大，因為高速開通和關斷時，會產生很高的尖峰電壓，極有可能造成IGBT或其他元器件被擊穿。

　　3）選擇合適的柵極串聯電阻RG和柵射電容CG對IGBT的驅動相當重要。RG較小，柵射極之間的充放電時間常數比較小，會使開通瞬間電流較大，從而損壞IGBT；RG較大，有利于抑制dvce／dt，但會增加IGBT的開關時間和開關損耗。合適的CG有利于抑制dic／dt，CG太大，開通時間延時，CG太小對抑制dic／dt效果不明顯。

　　4）當IGBT關斷時，柵射電壓很容易受IGBT和電路寄生參數的干擾，使柵射電壓引起器件誤導通，為防止這種現象發生，可以在柵射間并接一個電阻。此外，在實際應用中為防止柵極驅動電路出現高壓尖峰，最好在柵射間并接兩只反向串聯的穩壓二極管，其穩壓值應與正負柵壓相同。

　　3 HCPL-316J驅動電路

　　3.1 HCPL-316J內部結構及工作原理

　　HCPL-316J的內部結構如圖1所示，其外部引腳如圖2所示。

　　從圖1可以看出，HCPL-316J可分為輸入IC（左邊）和輸出IC（右邊）二部分，輸入和輸出之間完全能滿足高壓大功率IGBT驅動的要求。

　　各引腳功能如下：

　　腳1（VIN+）正向信號輸入；

　　腳2（VIN-）反向信號輸入；

　　腳3（VCG1）接輸入電源；

　　腳4（GND）輸入端的地；

　　腳5（RESERT）芯片復位輸入端；

　　腳6（FAULT） 故障輸出，當發生故障（輸出正向電壓欠壓或IGBT短路）時，通過光耦輸出故障信號；

　　腳7（VLED1+）光耦測試引腳，懸掛；

　　腳8（VLED1-）接地；

　　腳9，腳10（VEE）給IGBT提供反向偏置電壓；

　　腳11（VOUT）輸出驅動信號以驅動IGBT；

　　腳12（VC）三級達林頓管集電極電源；

　　腳13（VCC2）驅動電壓源；

　　腳14（DESAT） IGBT短路電流檢測；

　　腳15（VLED2+）光耦測試引腳，懸掛；

　　腳16（VE）輸出基準地。

　　其工作原理如圖1所示。若VIN+正常輸入，腳14沒有過流信號，且VCC2-VE=12v即輸出正向驅動電壓正常，驅動信號輸出高電平，故障信號和欠壓信號輸出低電平。首先3路信號共同輸入到JP3，D點低電平，B點也為低電平，50×DMOS處于關斷狀態。此時JP1的輸入的4個狀態從上至下依次為低、高、低、低，A點高電平，驅動三級達林頓管導通，IGBT也隨之開通。

　　若IGBT出現過流信號（腳14檢測到IGBT集電極上電壓=7V），而輸入驅動信號繼續加在腳1，欠壓信號為低電平，B點輸出低電平，三級達林頓管被關斷，1×DMOS導通，IGBT柵射集之間的電壓慢慢放掉，實現慢降柵壓。當VOUT=2V時，即VOUT輸出低電平，C點變為低電平，B點為高電平，50×DMOS導通，IGBT柵射集迅速放電。故障線上信號通過光耦，再經過RS觸發器，Q輸出高電平，使輸入光耦被封鎖。同理可以分析只欠壓的情況和即欠壓又過流的情況。

　　3．2驅動電路設計

　　驅動電路及參數如圖3所示。

　　HCPL-316J左邊的VIN+，FAULT和RESET分別與微機相連。R7，R8，R9，D5，D6和C12 起輸入保護作用，防止過高的輸入電壓損壞IGBT，但是保護電路會產生約1µs延時，在開關頻率超過100kHz時不適合使用。Q3最主要起互鎖作用，當兩路PWM信號（同一橋臂）都為高電平時，Q3導通，把輸入電平拉低，使輸出端也為低電平。圖3中的互鎖信號Interlock，和Interlock2分別與另外一個316J Interlock2和Interlock1相連。R1和C2起到了對故障信號的放大和濾波，當有干擾信號后，能讓微機正確接受信息。

　　在輸出端，R5和C7關系到IGBT開通的快慢和開關損耗，增加C7可以明顯地減小dic／dt。首先計算柵極電阻：其中ION為開通時注入IGBT的柵極電流。為使IGBT迅速開通，設計，IONMAX值為20A。輸出低電平VOL=2v。可得

　　C3是一個非常重要的參數，最主要起充電延時作用。當系統啟動，芯片開始工作時，由于IGBT的集電極C端電壓還遠遠大于7V，若沒有C3，則會錯誤地發出短路故障信號，使輸出直接關斷。當芯片正常工作以后，假使集電極電壓瞬間升高，之后立刻恢復正常，若沒有C3，則也會發出錯誤的故障信號，使IGBT誤關斷。但是，C3的取值過大會使系統反應變慢，而且在飽和情況下，也可能使IGBT在延時時間內就被燒壞，起不到正確的保護作用， C3取值100pF，其延時時間

　　在集電極檢測電路用兩個二極管串連，能夠提高總體的反向耐壓，從而能夠提高驅動電壓等級，但二極管的反向恢復時間要很小，且每個反向耐壓等級要為1000V，一般選取BYV261E，反向恢復時間75 ns。R4和C5的作用是保留HCLP-316J出現過流信號后具有的軟關斷特性，其原理是C5通過內部MOSFET的放電來實現軟關斷。圖3中輸出電壓VOUT經過兩個快速三極管推挽輸出，使驅動電流最大能達到20A，能夠快速驅動1700v、200-300A的IGBT。

　　3．3驅動電源設計

　　在驅動設計中，穩定的電源是IGBT能否正常工作的保證。如圖4所示。電源采用正激變換，抗干擾能力較強，副邊不加濾波電感，輸入阻抗低，使在重負載情況下電源輸出電壓仍然比較穩定。

　　當s開通時，+12v（為比較穩定的電源，精度很高）電壓便加到變壓器原邊和S相連的繞組，通過能量耦合使副邊經過整流輸出。當S關斷時，通過原邊二極管和其相連的繞組把磁芯的能量回饋到電源，實現變壓器磁芯的復位。555定時器接成多諧振蕩器，通過對C1的充放電使腳2和腳6的電位在4～8v之間變換，使腳3輸出電壓方波信號，并用方波信號來控制S的開通和關斷。+12v經過R1，D2給C1充電，其充電時間t1≈R1C2ln2；放電時間t2=R2C1ln2，充電時輸出高電平，放電時輸出低電平。所以占空比=t1／（t1+t2）。

　　變壓器按下述參數進行設計：原邊接+12v，頻率為60kHz，工作磁感應強度Bw為O．15T，副邊+15v輸出2A，-5v輸出1 A，效率n=80％，窗口填充系數Km為O．5，磁芯填充系數Kc為1，線圈導線電流密度d為3 A／mm2。則輸出功率

　　PT=（15+O．6）×2×2+（5+O．6）×1×2=64W。

　　變壓器磁芯參數

　　由于帶載后驅動電源輸出電壓會有所下降，所以，在實際應用中考慮提高頻率和占空比來穩定輸出電壓。

　　4 結語

　　本文設計了一個可驅動l700v，200～300A的IGBT的驅動電路。硬件上實現了對兩個IGBT（同一橋臂）的互鎖，并設計了可以直接給兩個IGBT供電的驅動電源。