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EML激光器溫控電路設計

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所屬頻道:新聞中心

關鍵詞: 激光器,溫度控制,電路

      引言

      在光通信領域中,用于高速、長距離通信的電吸收調制激光器(Electlro-absorption Modulated Laser,EML)對溫度穩定性的要求很高,并朝著小型化和高密度化方向發展。EML激光器是第一種大量生產的銦鎵砷磷(InGaAsP)光電集成器件。它是在同一半導體芯片上集成激光器光源和電吸收外調制器,具有驅動電壓低、功耗低、調制帶寬高、體積小,結構緊湊等優點,比傳統DFB激光器更適合于高速率、長距離的傳輸。

      EML激光器的輸出波長、電流閾值、最大輸出功率和最小功率的波動都直接受工作溫度的影響。同時,光源的啁啾聲受限于光通道的最大允許色散,雖然光纖放大器可延長信號傳輸距離,但色散值隨傳輸距離的線性累積與光纖放大器無關,因此只能對光源的啁啾提出很苛刻的要求。使用直接調制激光器遠遠滿足不了系統對光源性能的要求,就目前技術而言,最簡單的方法是使用帶溫度控制的電吸收激光源。

      本設計方案采用體積小且易于控制的熱電制冷器(ThermoElectric Cooler,TEC)作為制冷和加熱器件,并采用高精度的負溫度系數熱敏電阻(NTC)作為溫度傳感器,以MCU為控制核心,對EML激光器進行精密溫度控制。EML的內部結構框圖如圖1所示。虛線框內,上面的二極管負責監控激光器和控制開關,下面的二極管控制背光電流。

      1 基于TPS63000的TEC控制電路設計

      1.1 TEC的原理分析

      TEC制冷器又稱半導體制冷器。電荷載體在導體中運動形成電流,當直流通過兩種不同的導體材料,接觸端上將產生吸熱或放熱現象,稱為帕爾貼效應。TEC熱電制冷器正是利用了帕爾貼效應實現制冷或制熱,具有無噪聲、無磨損、無污染、制冷(熱)速度快、可靠性高、體積小、控制調節方便等特點。

      目前,大多數EML激光器內部都集成有TEC和熱敏電阻,但其控制電路需采用專用芯片或自行設計,否則激光器不能正常工作。常用的TEC控制電路包括2個PWM降壓變換器、4個開關(S1~S4)、2個二極管(D1和D2)、2個濾波電感(L1和L2)、2個電容(C1和C2)。TEC與電容C1并聯分別接PWMl和PWM2降壓變換器,PWMl和PWM2產生的輸出直流電壓為V1、V2。提供給TEC的電流ITBC=(V1-V2)/RTRC,RTEC為TEC兩電極間的阻抗。這種控制電路典型應用于Maxim公司的MAX8521、MAXl968以及Linear公司的LTC1923芯片中,主要存在以下的缺點:

      ①EMI較大。控制電路中的兩個濾波電感會對周圍產生電磁干擾,且濾波電感的回路阻抗易發生突變而導致產生尖銳的脈沖。

      ②外圍電路器件數量龐大。溫度的反饋信號以及其參數設置均采用模擬電路,從而使應用的成本和復雜性增加,TEC工作參數的設置不靈活。

      ③TEC的溫控精度不高。由于采用的是模擬的控制方式,外接誤差積分的運算放大器以及數/模轉換器的量化誤差都在一定程度上限制了TEC的控制精度。

      ④模式切換較復雜。控制電路在雙PWM降壓變換器驅動模式下采取模擬的控制方式,沒有運行模式選擇功能。

      1.2 硬件電路結構設計

      本文設計了一種基于TPS63000的TEC控制電路,采用數字式PID控制,具有溫控精度高、外圍電路簡單、執行部件的轉換效率高等優點。

      TI公司的TPS63000是一款升降壓電源管理芯片,DC/DC轉換器可在1.8~5.5 V的寬電壓范圍內實現高達96%的效率。該芯片在降壓和升壓模式之間可自動轉換,同時支持電流流入模式。在降壓模式下電壓為3.3 V輸出時,輸出電流最大可達1200 mA;在升壓模式下電壓為3.3 V或5 V輸出時,輸出電流最大可達800 mA。

      根據CyOptics公司的10 Gb/s Cooled EML的使用手冊可知,激光器的可操作溫度范圍在-40~90℃,TEC熱電制冷器的電流ITEC為-1.5~1.5 A,VTEC為-3.3~3.3 V,熱敏電阻的電流ITHC不得超過100μA,中心波長的范圍為1530~1565 nm,且溫度每變化1℃波長偏移不得超過0.13 nm。

      結合激光器的具體指標,要做到對TEC溫度的精確控制,可分為以下3步:

      ①熱敏電阻實時監控溫度;

      ②TEC上電流方向實現制冷和加熱;

      ③PID控制準確、快速、穩定地控制TEC電流。

      TEC控制系統是一個典型的閉環反饋控制系統,其結構如圖2所示。

      EML內部集成的高靈敏度NTlC熱敏電阻,溫度特性波動小、對各種溫度變化響應快,材料一般為薄膜鉑電阻。電阻的阻值與溫度的關系是非線性的,可用公式表示為:

      R=RTO×EXP{B(1/T-1/TO)}

      其中,T0為溫度的初始值,B為熱敏指數。

      熱敏電阻作為傳感器探測激光器內部溫度,并將溫度轉換為自身阻值的變化,然后由溫度控制電路將電阻的變化轉換為電壓的變化,其轉換精度決定了測溫的精度。轉換后電壓值的大小決定TEC LOOP電路的電流的流向(流入還是流出),以此來實現TEC控制電路的制冷或制熱。

      在TPS6300X系列芯片中,為了更好地控制輸出電壓VOUT,通常用FB引腳電壓值的變化來感知輸出電壓V(OUT值的變化,這就意味著FB引腳要和VOUT引腳直接相連。

      可得出,VFB=K1·VOUT+K2·VDAC。其中,K1、K2為常量,VDAC為MCU的控制電壓。通過對輸出電壓VOUT值的控制,當電流由ITEC(+)流向ITEC(-)時,激光器將制冷,反之制熱。

      在這個可調節的電壓輸出系統中,要調節VOUT值,還要用一個外部的分壓電阻連接在FB、VOUT和GND之間。為了能正常地調節VOUT值,V-FB值最大不超過500 mA,IFB不超過0.01μA,RB的阻值小于500 kΩ。分壓電阻RA阻值由VFB、YOUT和RB確定。

      1.3 TEC LOOP控制算法

      PID(Proportional Integral Derivative)控制是一種線性的調節,即比例、積分、微分控制。PID控制有模擬PID和數字PID控制兩種,通常依據控制器輸出與執行機構的對應關系,將基本數字PID算法分為位置式PID和增量式PID。本文中TEC LOOP控制采用了適合于溫度控制的位置式PID控制算法。該算法原理簡單,只是將經典的PID算法理論離散化,運用于計算機輔助測量,結構簡單易于實現。圖4是TEC LOOP的控制模型。

      其中,Kp為比例調節系數,Ki為積分調節系數,Kd為微分調節系數,e(k)為每次采樣值與目標值的差值,u(k)為每次計算后用于調整溫度的DAC值。模型中的反饋部分是將24位DAC的采樣值轉換成溫度,當前溫度與目標溫度的差值通過PID算法計算出當前需要調整的DAC值,從而來實現溫度的精確控制。

      2 實驗結果及分析

      基于以上設計的TEC控制電路,分別對4只EML激光器在-10℃、25℃、75℃三種溫度下進行3.3(1±10%)V的一些性能指標測試,測試的激光器是在循環箱中進行,表1為其中波長和光發射功率的具體測量數據。

      從表中可以看出,當TEC控制在42℃,4只EML激光器分別工作在-10℃、25℃、75℃時,中心波長的偏移均不超過0.2 nm,光功率的變化在±1 dB之內。根據CyOptics公司的lO Gb/s Cooled EML的使用手冊可知,光功率、中心波長完全滿足TDM(時分復用)的要求,波長的變化范圍也可以滿足WDM(波分復用)應用需求。

      結語

      本文所設計的基于TPS63000的溫度控制電路,已成功應用在CyOptics公司的EML激光器中。實際使用證明:該電路可以有效地對TEC的溫度進行控制,能夠使EML激光器長期、穩定地工作在設定溫度下。此模塊工作溫度寬、集成度高、成本低,經過進一步優化設計還可以適用于大多數集成光通信系統。

    (審核編輯: 智匯小新)

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