1996年，Nichia公司的Nakamura等首次使用藍(lán)光led結(jié)合黃色熒光粉轉(zhuǎn)化合成了白光LED。他所采用的黃色熒光粉為Y3Al5O12:Ce3+(簡稱YAG:Ce3+)，這種熒光粉在470nm波段附近有較強(qiáng)的寬帶吸收，然后激發(fā)出540nm附近的黃光，LED本身發(fā)射的藍(lán)光與熒光粉激發(fā)的黃光結(jié)合形成白光。后來，YAG:Ce3+因其轉(zhuǎn)化效率高、熱穩(wěn)定性好以及激發(fā)波段寬等優(yōu)勢，成為白光的主流技術(shù)。

　　趨勢一：新型熒光粉的開發(fā)

　　YAG:Ce3+是最早被廣泛應(yīng)用于白光LED技術(shù)中的一種熒光粉，但是由于其發(fā)射光譜中紅色成分較少，難以獲得較高顯色指數(shù)和低色溫的白光LED；另一方面，半導(dǎo)體照明的持續(xù)發(fā)展推動人們開發(fā)出更高轉(zhuǎn)化效率的熒光粉。早期，通過在YAG:Ce3+中加入(Ca,Sr)S:Eu2+、(Ca,Sr)Ga2S4:Eu2+紅綠色熒光粉來實現(xiàn)高顯色指數(shù)、低色溫的要求，但是由于這類堿土金屬硫化物物理化學(xué)性質(zhì)不穩(wěn)定、易潮解、揮發(fā)和具有腐蝕性等問題，不能滿足LED照明產(chǎn)業(yè)的需求。近來，人們開發(fā)了一種熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性優(yōu)異的紅色熒光粉，能完全替代堿土金屬硫化物實現(xiàn)高顯色指數(shù)、低色溫白光LED，因其具有硅氮(氧)四面體結(jié)構(gòu)，被稱為氮氧化物，具有更高的激發(fā)效率。

        當(dāng)前，國外公司在LED用熒光粉方面技術(shù)成熟，且持有大部分重要專利。他們通過對熒光粉專利的把持而占領(lǐng)LED市場，YAG:Ce3+熒光粉的專利主要由Nichia占有[U.S. 5998925]，Osram則占據(jù)了Tb3Al5O12: Ce3+的熒光粉專利[U.S. 6812500, 6060861, 65276930]，TG、LWB和Tridonic持有摻Eu2+(SrBaCa)2SiO4Si:Al,B,P,Ge..的專利[U.S. 6809347]，Intematix持有摻Eu2+(SrBaMg)2SiO4O:F,Cl,N,S..的專利[U.S. 20060027781, 200627785, 200628122]。反觀國內(nèi)，LED用熒光粉方面的研究大多集中在科研院所，主要是對現(xiàn)有熒光粉材料的合成和發(fā)光等物性的研究上，而在產(chǎn)業(yè)化技術(shù)的開發(fā)上做的不夠。

　　趨勢二：白光LED光學(xué)模型的建立及發(fā)展

　　熒光粉應(yīng)用于白光LED，還需根據(jù)LED的具體需求而定，諸如熒光粉的顆粒大小等等。對熒光粉的研究主要集中在熒光粉的光學(xué)性質(zhì)對白光LED封裝性能的影響，例如取光效率[1-3]、顏色空間分布[4,5]以及光色質(zhì)量[6,7]上面。在這些研究中，采用蒙特卡洛光線追跡的方法利用光學(xué)軟件模擬LED封裝結(jié)構(gòu)的光學(xué)性能，將熒光粉層處理成Mie散射材料，這樣能夠通過光學(xué)模擬獲得白光LED的激發(fā)和發(fā)射特性，但是模擬沒有考慮到熒光粉具體的散射特性，缺少實驗驗證。Narendran[8]、Zhu[9]、Kang[10]和Z. Liu[11]則通過實驗詳細(xì)的研究了熒光粉的光學(xué)性質(zhì)。

　　趨勢三：新型熒光粉涂覆方式

　　傳統(tǒng)的熒光粉涂覆方式為點(diǎn)粉模式，即熒光粉與膠體的混合物填充到芯片支架杯碗內(nèi)，然后加熱固化。這種涂覆方式熒光粉量難以控制，并且由于各處激發(fā)光不同，使得白光LED容易出現(xiàn)黃斑或者藍(lán)斑等光色不均勻現(xiàn)象。Philips Lumileds公司提出了保形涂覆的熒光粉涂覆方式，它們在倒裝LED芯片表面覆蓋一層厚度一致的熒光粉膜層，提高了白光LED的光色穩(wěn)定性。也有公司采用在芯片表面沉積一層熒光粉的方法來實現(xiàn)激發(fā)。這些涂覆方式都是將芯片與熒光粉接觸。H. Luo等研究者的光學(xué)模擬結(jié)果表明，這種熒光粉與芯片接觸的近場激發(fā)方法，增加了激發(fā)光的背散射損耗，降低了器件的取光效率[1]。澳大利亞的Sommer采用數(shù)值模擬的方法模擬Philips Lumileds的熒光粉保形涂覆結(jié)構(gòu)，結(jié)果顯示這種涂覆方法并不能提供更好的角度均勻性[4]。隨著對白光LED光學(xué)模擬的深入，熒光粉遠(yuǎn)場激發(fā)的方案顯示了更多的優(yōu)越性。

　　趨勢四：大電流注入及散熱結(jié)構(gòu)

　　為了滿足通用照明高光通量的需求，人們提高了單顆芯片的驅(qū)動功率，以往1W的大功率芯片被注入到3W、5W，甚至更高。這使得白光LED的熱問題越來越嚴(yán)重，人們采用各種散熱技術(shù)，如熱管、微熱管[12]、水冷、風(fēng)冷等方法對LED實施散熱。