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中國半導體工藝獲突破

來源:網絡

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所屬頻道:新聞中心

關鍵詞: LED,半導體,元器件

      業界最小級別的帶非球面透鏡的面貼裝LED

      日本知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都市)開發出帶透鏡的面貼裝小型、高輸出LED“CSL0701/0801系列”產品,是用于數碼相機或帶攝像功能的手機等的自動對焦輔助光源的最佳產品。

      通過羅姆特有的元器件加工技術和光學設計,實現了業界最小級別的2924尺寸(2.9×2.4mm),與以往產品相比安裝面積減少65%,高度降低30%,更加輕薄。

      此次開發的LED,采用了更小型的發光元件以及CAE(ComputerAidedEngineering)技術光學設計,并且,利用羅姆獨家的模具技術采用了非球面透鏡,從而實現了非球面透鏡的面貼裝LED產品中的業界最小級別2924尺寸(2.9×2.4mm)。與以往產品相比,安裝面積減少了65%,高度降低了30%,更加輕薄。

      編輯解讀:

      近年來,數碼相機及部分帶攝像功能的手機正朝著小型化、高性能化方向迅速發展,因此,對所使用的電子零部件的小型化、輕薄化要求也越來越高。另外,隨著這些設備的多功能化發展,電流越發增加,因此,對更低功耗產品的需求也日益高漲。

      另一方面,為了準確測量焦點,自動對焦輔助光用的透鏡LED需要發出充分的光量給被攝物,因此,一般會采用半球透鏡,這就很難實現小型、輕薄化。

      自從羅姆于業界第一家開發出可自動回流焊的自動對焦輔助光用側視型LED以來,相關產品日益小型化、高性能化,并一直擁有引以為豪的高市場占有率。

      中國22納米半導體工藝獲重大突破

      說起先進的半導體工藝,Intel、IBM、臺積電、三星電子這些耳熟能詳的名字肯定會立刻出現在大家的腦海中,而因為各方面的限制,國內在這方面的差距還非常非常大,只有中芯國際能拿得出手,但也總比國外落后幾個時代。

      不過據最新消息,中國科學院微電子研究所集成電路先導工藝研發中心(以下簡稱先導工藝研發中心)通過4年的艱苦攻關,在22納米關鍵工藝技術先導研究與平臺建設上,實現了重要突破,在國內首次采用后高K工藝成功研制出包含先進高K/金屬柵模塊的22納米柵長MOSFETs,器件性能良好。

      編輯解讀:

      由于這一工作采用了與工業生產一致的工藝方法和流程,具備向產業界轉移的條件,因而對我國集成電路產業的技術升級形成了具有實際意義的推動作用。同時,該先導工藝研發中心建成了一個能夠開展22納米及以下技術代研發的工藝平臺。這標志著,我國也加入了高端集成電路先導工藝研發的國際俱樂部。

      MEMS諧振器超越石英性能

      SiTime公司(SiTimeCorporation)今天宣布,推出TempFlatMEMS。在TempFlat出現之前,所有MEMS振蕩器都采用補償電路來達到所需頻率穩定度。而SiTime的TempFlatMEMS是一個革命性的突破,通過消除溫度補償需求,大幅度的促進了性能的提高,尺寸的縮小,功耗和成本的降低。

      YoleDeveloppement的策劃經理和首席分析師LaurentRobin表示:“到2018年,預計MEMS振蕩器市場將以60%的復合年增長率增長,達到4.67億美元,成為MEMS產業前三大增長領域之一。SiTime的TempFlatMEMS的是一個令人興奮的發展,有助于SiTime瞄準任何精密時鐘應用的目標,無一例外。SiTime的TempFlatMEMS技術和半導體基礎設施無與倫比的組合將永久改變時鐘市場,同時加快硅MEMS時鐘解決方案的采用。”

      編輯解讀:

      SiTime始創時就具有了利用改變游戲規則的MEMS和模擬技術,可以推動時鐘發展。SiTime公司可以憑借TempFlatMEMS,針對智能手機的32kHz振蕩器,進軍高速發展的移動設備市場。

      賽靈思發布業界首款ASIC級可編程架構UltraScale,20nm開始投片

      Xilinx日前宣布,延續28nm工藝一系列行業創新,在20nm工藝節點再次推出兩大行業第一:投片半導體行業首款20nm器件,也是可編程邏輯器件(PLD)行業首款20nmAllProgrammable器件;發布行業第一個ASIC級可編程架構UltraScale。這些具有里程碑意義的行業第一發布,延續了賽靈思在28nm領域投片首款器件以及在AllProgrammableSoC、AllProgrammable3DIC和SoC增強型設計套件上所實現的一系列行業第一的優勢。

      賽靈思同臺積合作,就像28HPL(高性能低功耗)開發過程一樣,把高端FPGA的要求注入20SoC開發工藝之中。賽靈思和臺積公司在28nm工藝節點上的通力協作,讓賽靈思成為行業第一個28nmAllProgrammableFPGA、SoC和3DIC器件的推出者,把賽靈思推上了性價比和功耗、可編程系統集成以及降低材料清單(BOM)成本方面領先一代的地位。現在,賽靈思已經將這種行之有效的行業領先合作模式從28nm擴展到20nm,推出了行業首個ASIC級可編程架構—UltraScale。

      編輯解讀:

      現在,數據流的增大對系統性能提出了新的要求,智能處理的能力和速度的要求越來越高,對通信、時鐘、關鍵路徑以及互連技術的綜合性能要求也隨之水漲船高,最新開發的UltraScale架構包括20nm平面晶體管結構(planar)工藝和16nm乃至FinFET晶體管技術擴展,包括單芯片(monolithic)和3DIC。它不僅能解決整體系統吞吐量擴展限制的問題和時延問題,還能直接應對先進節點芯片性能方面的最大瓶頸問題—互連。

      要和蘋果分手了?三星將向亞馬遜和索尼提供芯片

      三星和蘋果曾達成協議,規定三星于2014年年底將停止向蘋果提供配件。在這一協議之下,三星將會向蘋果提供用于即將推出的iPhone5S以及新iPad的處理器芯片直到明年上半年。為蘋果提供芯片是三星業務中的重要一環。市場研究公司ICInsights的數據顯示,三星去年芯片業務43.3億美元的營收中有89%都來自于蘋果,約38億美元。

      在和蘋果業務終止之前,三星正在為自己的芯片尋找眾多買主。一位消息人士透露:“三星盯上了亞馬遜、索尼、Nvidia等,希望把他們變為新客戶以抵消蘋果降低采購額的影響。”

      消息人士還透露,三星正在就相關事宜和索尼以及Nvidia進行談判,但三星和亞馬遜還并未走到談判環節。原因很可能是亞馬遜正在為自主品牌開發處理器芯片,這些芯片很有可能會用在Kindle系列平板電腦上。

      編輯解讀:

      蘋果與三星的關系歷來是錯綜復雜,一方面專利官司打不停,一方面又積極合作。

      如果三星和這些公司最終達成共識,一些搭載Exynos芯片的智能手機,如索尼智能手機將會有新的發展空間。另外三星也很有可能會生產Nvidia的芯片。眾所周知,Nvidia正在尋找能運用自己圖形技術的芯片開發商,或許Nvidia和三星在未來將會合作生產芯片?

      目前這些消息尚未得到相關公司的證實。但如果消息確實屬實,那么三星在移動市場上的地位將會產生何種變化?智能手機最大芯片制造商高通地位是否會受到三星的影響?讓我們拭目以待。

      美宇航局2020年再登陸火星尋找遠古生命痕跡

      據國外媒體報道,美國宇航局目前正在規劃2020年火星探索構想,計劃利用現有的好奇號平臺進行升級改進,打造可全新的火星“漫游者”。科學家認為好奇號平臺適合繼續改進,以滿足2020年代登陸火星的任務

      2012年降落在火星赤道以南蓋爾撞擊坑的好奇號火星車采用多種先進技術,美國宇航局認為這一平臺可以滿足未來對火星的探索,任務目的依然是尋找火星上的生命跡象,屆時還將把火星樣品帶回地球研究。火星2020年科學調查團隊編制了長達154頁的文件,勾勒出未來20年火星探索的藍圖,根據NASA的計劃表,2030年代將向火星派遣宇航員并完成登陸。

      編輯解讀:

      在2012年,好奇號有過成功案例,去年好奇號依靠風河公司VxWorks實時操作系統來執行關鍵任務,如地面作業控制、數據采集以及火星與地球間的通信中繼。而使用好奇號作為下一代火星車的設計平臺有助于控制成本和降低任務風險。

      Sandisk推80MBps高速microSD卡大部分手機不支持

      近日,Sandisk公司推出了新的“Extreme”microSD卡系列,有16GB、32GB和64GB容量可選,該系列產品稱其數據傳輸速度可以高達80MBps。

      AndroidPolicy對Extreme進行了測試,結果表明當使用一個專用的讀卡器,64GB卡的速度達到了78MBps。當然,如果把卡插入智能手機里,結果就相差甚遠了。目前,除了三星GalaxyS4的Exynos5Octa處理器,大部分智能手機都不支持更新版的UHS-1標準,眾所周知UHS-1標準的傳輸速度有了大幅度提升。

      另外,Extreme同樣被放進GalaxyNoteII上進行測試,結果表明,SanDisk的新款數據卡只達到了14MBps的讀取速度和14.6MBps的寫入速度。盡管和使用專用讀卡器的結果差距巨大,不過它仍然比上一代64GBSanDiskmicroSD卡的速度要快50%到100%。

      編輯解讀:

      想必沒有一個人喜歡在用SD卡傳輸文件時的漫長等待過程,也沒有人會因為追求速度而另外購置一個專用讀卡器。所以現在最關鍵的問題是手機性能需要迎頭趕上,跟上數據卡的發展。否則就算數據卡速度再快,在手機上也無用武之地。

      國標即將出臺LED產業面臨洗牌龍頭股望受益

      中半導體照明(LED)被譽為第四代照明技術,中國LED產業正在經歷著高速增長。記者從11日在上海舉行的中國國際半導體照明應用技術論壇上獲悉,中國強制性照明安全國家標準明年有望出臺,魚龍混雜的中國LED產業將面臨大規模“洗牌”。

      編輯解讀:

      分析人士認為,新“國標”出臺無疑將使中國LED產業面臨“洗牌”。LED產業規模總量今年繼續擴大,但今年的特點是沒有技術特點的企業生存空間縮小,而大企業的接單量擴張,隨著LED技術逐漸成熟,一定會有品質更高的產品脫穎而出,同時低端產品將被市場淘汰。

      LED行業龍頭有望受益國標推出,三安光電、天富熱電、聚飛光電、水晶光電、萊寶高科等。

      中移動TD-LTE終端采購接盅23家公司入圍

      據上證報報道,中國移動TD-LTE終端第二季度集中采購已于日前正式結束。本次采購規模約為20萬部,包括約15萬部的MiFi、約3萬部的數據卡、約2萬部的CPE以及約6500部手機,中標企業將進行為期三天的公示。

      編輯解讀:

      隨著中移動近幾年加大力度擴建4G網絡建設,業內還預計相關設備的需求也將迎來高峰。國海證券指出,4G網絡的建設將帶動幾大細分行業率先受益。在無線基站建設與傳輸網建領域,中興通訊、烽火通信、日海通訊等上市公司有望脫穎而出;在無線射頻配套領域,大富科技、武漢凡谷等則可能分得一杯羹。

     

    (審核編輯: 智匯李)

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