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三星3nm芯片搶先量產(chǎn),臺積電輸了么?

來源:中國電子報

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所屬頻道:新聞中心

關(guān)鍵詞:三星的3nm芯片

    三星的3nm芯片終于在今天掀開面紗。三星宣布,基于3nm全環(huán)繞柵極(Gate-All-AroundT,簡稱 “GAA”)制程工藝節(jié)點的芯片已經(jīng)在其位于韓國的華城工廠啟動大規(guī)模生產(chǎn)。此舉使三星成為全球首家量產(chǎn)3nm芯片的公司。然而,搶先一步量產(chǎn)3nm芯片,并不意味著三星在與臺積電的“雙雄”之戰(zhàn)中占據(jù)了先機。

    三星3nm憑速度超越臺積電

    一路走來,三星3nm量產(chǎn)之路并不順利。

    今年4月,有消息傳出,三星基于GAA晶體管的3nm工藝良率才到10%~20%,遠(yuǎn)低于預(yù)期,這意味著公司需要付出更高的成本。今年5月,業(yè)界再次傳出消息,三星3nm良率問題已解決,3nm GAA制程將如期量產(chǎn)。6月初,有消息稱,三星的3nm制程已經(jīng)進(jìn)入了試驗性量產(chǎn)。然而就在幾天后的6月22日,市場卻又傳出三星因良率遠(yuǎn)低于目標(biāo)延遲3納米芯片量產(chǎn)的消息。



    數(shù)據(jù)來源:The Information Network

    盡管“跌跌撞撞”,但三星依舊全力推進(jìn),終于搶在臺積電之前,成功量產(chǎn)了3nm。資料顯示,與其5nm工藝相比,三星第一代3nm工藝可以使功耗降低45%,性能提升23%,芯片面積減少16%;而未來第二代3nm工藝則使功耗降低50%,性能提升30%,芯片面積減少35%。三星在3nm工藝中開始引入GAA架構(gòu)。與當(dāng)前的FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)工藝相比,GAA工藝可讓芯片面積減少45%的同時提升30%的性能,功耗降低50%。在這一層面,三星是大膽采用新技術(shù)的“革新者”。



    GAA架構(gòu)是“大膽而危險”的嘗試

    與三星的大膽和急迫相比,其業(yè)內(nèi)最大的競爭對手臺積電就顯得有些“不緊不慢”。在三星急于在3nm切入GAA架構(gòu)之時,臺積電宣布其3nm中仍將沿用FinFET架構(gòu),在2nm時再切入GAA架構(gòu)。雖然,GAA是在更小尺寸下更加被普遍看好的工藝結(jié)構(gòu),但在3nm技術(shù)節(jié)點中采用GAA架構(gòu),仍是一個值得商榷的問題。



    數(shù)據(jù)來源:The Information Network


    復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院副院長周鵬表示,半導(dǎo)體技術(shù)隨著摩爾定律的發(fā)展的歷史,本身也是一部關(guān)于創(chuàng)新的歷史,里面凝聚了許許多多迭代創(chuàng)新技術(shù),當(dāng)然也包括了很多試錯的過程。工藝不穩(wěn)定等問題在每一代節(jié)點中都會面臨,這需要時間和技術(shù)上的改進(jìn)迭代。

    FinFET結(jié)構(gòu)2011年便開始商業(yè)化,從22納米就已經(jīng)開始采用,至今已經(jīng)經(jīng)歷了11年的發(fā)展,雖然在芯片進(jìn)入到5nm之后,采用FinFET結(jié)構(gòu)的芯片開始出現(xiàn)漏電等問題,但是相比較于嶄新的GAA結(jié)構(gòu),仍是相對穩(wěn)定和成熟的技術(shù)。“GAA的工藝并不比FinFET簡單,它的發(fā)展也需要一個改進(jìn)的過程。”周鵬向《中國電子報》記者表示。

    臺積電卻似乎并沒有被三星“拼命三郎”般的追趕打亂量產(chǎn)的節(jié)奏。有消息稱,臺積電將在今年下半年向蘋果批量交付3nm制程的M2 Pro芯片,這足以說明眼下臺積電的3nm工藝已經(jīng)具備量產(chǎn)條件,但臺積電卻在某論壇中不緊不慢地表示:3nm工藝試產(chǎn)順利,并預(yù)計在今年下半年才開始量產(chǎn)3nm。

    “雙雄之戰(zhàn)”都是王者

    除了3納米“撞檔”之外,三星與臺積電在2納米芯片量產(chǎn)時間上同樣你追我趕。三星計劃2025年量產(chǎn)采用GAA技術(shù)的2納米芯片,臺積電也將于2025年量產(chǎn)2納米芯片,并將以GAA工藝取代FinFET工藝。三星和臺積電在先進(jìn)制程方面的競爭,還將在2nm中延續(xù)。

    三星電子晶體管結(jié)構(gòu)路線圖

    圖片來源:三星電子

    在3nm中搶先一步量產(chǎn),是否意味著三星已經(jīng)趕超了臺積電?在這場“雙雄之戰(zhàn)”中,會有絕對的“王者”嗎?

    “如果僅從0到1的角度來分析,三星是第一個量產(chǎn)3nm的廠商,相比較與臺積電而言,固然是成功的。但放眼未來,若想評判誰更成功,還需要看三星3nm芯片的性能是否比臺積電的強,客戶選擇用誰的芯片更多。”知名業(yè)內(nèi)專家莫大康向《中國電子報》記者表示。

    在此之前,三星就有多次由于芯片性能出現(xiàn)問題,導(dǎo)致大客戶轉(zhuǎn)而尋求與臺積電合作的情況。例如,高通發(fā)布的搭載三星4nm工藝的驍龍8,陷入了功耗的滑鐵盧,因此,高通于今年5月發(fā)布的驍龍8的升級版驍龍8+,采用了臺積電4nm工藝。此外,NVIDIA的Ampere GPU也由于性能不佳,其下一代產(chǎn)品將轉(zhuǎn)而采用臺積電的芯片,這些GPU原本采用的是三星的8nm工藝制程。因此,此次三星的3nm制程,是否會再次陷入性能的“滑鐵盧”中,也難以預(yù)測。

    實際上這場“代工雙雄”之間的競爭也沒有絕對的輸贏之分,因為絕大部分晶圓代工廠商已經(jīng)完全告別了先進(jìn)制程的競賽,使得諸多客戶只能在臺積電和三星之間進(jìn)行“非此即彼”的選擇,而臺積電一家的產(chǎn)能,也難以維持龐大的先進(jìn)制程市場。因此,哪怕三星的芯片有再次陷入性能“滑鐵盧”的風(fēng)險,也依舊會有大批量的廠商愿意去“嘗嘗螃蟹”。


    (審核編輯: 智匯聞)

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