在近日舉行的三星晶圓代工論壇上，三星電子代工業(yè)務(wù)總裁Si-young Choi在主旨演講中透露，三星將在2025年實(shí)現(xiàn)2nm制程的規(guī)?；慨a(chǎn)，2027年實(shí)現(xiàn)1.4nm規(guī)模量產(chǎn)。

今年6月30日，三星率先啟動(dòng)了基于GAA(全環(huán)繞柵極）架構(gòu)的3nm制程芯片生產(chǎn)。Si-young Choi表示，三星將繼續(xù)提升GAA相關(guān)技術(shù)，并將其進(jìn)入2nm和1.7nm節(jié)點(diǎn)的制程工藝。

2025年或?qū)⒊蔀槿呛团_(tái)積電2nm制程正面交鋒的時(shí)間點(diǎn)。信息顯示，臺(tái)積電將在2nm節(jié)點(diǎn)引入GAA架構(gòu)，預(yù)計(jì)2024年下半年進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，2025年進(jìn)入量產(chǎn)。在面向GAA架構(gòu)的晶體管技術(shù)方面，三星在3nm制程采用了MBCFET（多橋通道晶體管）技術(shù)，相比其5nm工藝實(shí)現(xiàn)了23%的性能提升，降低了45%的功耗并減少了16%的芯片面積。臺(tái)積電推出了nanosheet技術(shù)，其N(xiāo)2制程較臺(tái)積電加強(qiáng)版的3nm制程可實(shí)現(xiàn)同等功耗下10%—15%的速度提升，同等速度下23%—30%的功耗下降。

在2nm及以下制程，高性能計(jì)算將成為重要的應(yīng)用領(lǐng)域和成長(zhǎng)動(dòng)力。據(jù)Counterpoint預(yù)測(cè)，2022年全球云服務(wù)供應(yīng)商的資本性支出將同比增長(zhǎng)23%，未來(lái)三年保持雙位數(shù)的年復(fù)合增長(zhǎng)率，成為臺(tái)積電以及其高性能計(jì)算客戶(hù)對(duì)先進(jìn)制程保持樂(lè)觀態(tài)度的信心之源。AI、元宇宙、自動(dòng)駕駛加速了大型數(shù)據(jù)中心的成長(zhǎng)，也為先進(jìn)制程芯片的需求提升注入了重要?jiǎng)幽?，其中AI加速芯片的市場(chǎng)需求有望在未來(lái)幾年保持超過(guò)30%的年復(fù)合增長(zhǎng)率。

三星電子代工業(yè)務(wù)總裁Si-young Choi在三星晶圓代工論壇作主旨演講（圖源：三星）

這也解釋了為什么臺(tái)積電的2nm制程除推出針對(duì)移動(dòng)處理器的標(biāo)準(zhǔn)制程，還推出了面向高性能計(jì)算和Chiplet的整合方案。三星也表示，更加先進(jìn)的制程技術(shù)主要針對(duì)高性能計(jì)算、人工智能、5G/6G連接和自動(dòng)駕駛。

不過(guò)，2022年第一季度之前連續(xù)成為頭部代工廠商利潤(rùn)最大來(lái)源的移動(dòng)處理器，也沒(méi)有停止制程下探的腳步。近日有供應(yīng)鏈消息稱(chēng)，蘋(píng)果預(yù)計(jì)在三年內(nèi)逐步更換采用3nm Finfet制程的自研處理器，在2025年率先采用臺(tái)積電2nm GAA技術(shù)研發(fā)芯片。

在提升代工技術(shù)的同時(shí)，頭部代工廠商也積極投入先進(jìn)封裝技術(shù)以提供系統(tǒng)性的解決方案。Si-young Choi表示，三星將加速2.5D/3D異構(gòu)集成封裝技術(shù)，以提供系統(tǒng)化的代工服務(wù)解決方案。三星采用微凸塊連接的X-Cube 3D封裝技術(shù)將在2024年做好大規(guī)模量產(chǎn)的準(zhǔn)備，無(wú)凸塊的X-Cube封裝技術(shù)將在2026年問(wèn)世。